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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 3LP01SS-TL-E solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 3LP01SS-TL-E solos

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 3LP01SS-TL-E solos
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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 3LP01SS-TL-E solos

descripción
Número de parte: 3LP01SS-TL-E Fabricante: EN el semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones 3LP01SS-TL-E

Situación de la parte No para los nuevos diseños
Tipo del FET P-canal
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 100mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ -
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 1.43nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 7.5pF @ 10V
Vgs (máximo) ±10V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 150mW (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 10,4 ohmios @ 50mA, 4V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 3-SSFP
Paquete/caso SC-81
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado 3LP01SS-TL-E

Detección

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