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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMP58D0LFB-7 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMP58D0LFB-7 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMP58D0LFB-7 solos

descripción
Número de parte: DMP58D0LFB-7 Fabricante: diodos incorporados
Descripción: MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones DMP58D0LFB-7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 50V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 180mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 27pF @ 25V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 470mW (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 8 ohmios @ 100mA, 5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paquete/caso 3-UFDFN
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMP58D0LFB-7

Detección

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