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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMP3105LVT-7 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMP3105LVT-7 solos

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMP3105LVT-7 solos

descripción
Número de parte: DMP3105LVT-7 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT26 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones DMP3105LVT-7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 3.1A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 19.8nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 839pF @ 15V
Vgs (máximo) ±12V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 1.15W (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 75 mOhm @ 4.2A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor TSOT-23-6
Paquete/caso SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMP3105LVT-7

Detección

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