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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMS3014SSS-13 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMS3014SSS-13 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMS3014SSS-13 solos

descripción
Número de parte: DMS3014SSS-13 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones DMS3014SSS-13

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 10.4A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 45.7nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 2296pF @ 15V
Vgs (máximo) -
Característica del FET Diodo de Schottky (cuerpo)
Disipación de poder (máxima) 1.55W (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 13 mOhm @ 10.4A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMS3014SSS-13

Detección

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