Datos del producto:
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Número de parte: | DMS3014SSS-13 | Fabricante: | Diodos incorporados |
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Descripción: | MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO | Categoría: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
Familia: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
Situación de la parte | Activo |
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Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 30V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 10.4A (TA) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 45.7nC @ 10V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 2296pF @ 15V |
Vgs (máximo) | - |
Característica del FET | Diodo de Schottky (cuerpo) |
Disipación de poder (máxima) | 1.55W (TA) |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 13 mOhm @ 10.4A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete/caso | 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m) |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Persona de Contacto: Darek
Teléfono: +8615017926135