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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CPH3355-TL-H solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CPH3355-TL-H solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CPH3355-TL-H solos

descripción
Número de parte: CPH3355-TL-H Fabricante: EN el semiconductor
Descripción: MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones de CPH3355-TL-H

Situación de la parte No para los nuevos diseños
Tipo del FET P-canal
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.5A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.6V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 172pF @ 10V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 1W (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 156 mOhm @ 1A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 3-CPH
Paquete/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de CPH3355-TL-H

Detección

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