Datos del producto:
|
Número de parte: | SQ2303ES-T1_GE3 | Fabricante: | Vishay Siliconix |
---|---|---|---|
Descripción: | MOSFET P-CHAN 30V SOT23 | Categoría: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
Familia: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos | Serie: | Automotriz, AEC-Q101, TrenchFET® |
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo del FET | P-canal |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 30V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 210pF @ 25V |
Vgs (máximo) | ±20V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 1.9W (Tc) |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 170 mOhm @ 1.8A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236 (SOT-23) |
Paquete/caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Persona de Contacto: Darek
Teléfono: +8615017926135