Datos del producto:
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Número de parte: | SI2304DDS-T1-GE3 | Fabricante: | Vishay Siliconix |
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Descripción: | MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23 | Categoría: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
Familia: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos | Serie: | TrenchFET® |
Situación de la parte | Activo |
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Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 30V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 3.3A (TA), 3.6A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 6.7nC @ 10V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 235pF @ 15V |
Vgs (máximo) | ±20V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 1.1W (TA), 1.7W (Tc) |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 60 mOhm @ 3.2A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
Paquete/caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Persona de Contacto: Darek
Teléfono: +8615017926135