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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo CSD16325Q5 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo CSD16325Q5 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo CSD16325Q5 solos

descripción
Número de parte: CSD16325Q5 Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: NexFET™

Especificaciones CSD16325Q5

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 25V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 33A (TA), 100A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 25nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 4000pF @ 12.5V
Vgs (máximo) +10V, -8V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 3.1W (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 2 mOhm @ 30A, 8V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSON-CLIP (5x6)
Paquete/caso 8-PowerTDFN
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado CSD16325Q5

Detección

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