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Datos del producto:
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| Número de parte: | CSD18533Q5AT | Fabricante: | Texas Instruments |
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| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 100A 8SON | Categoría: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
| Familia: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos | Serie: | NexFET™ |
| Situación de la parte | Activo |
|---|---|
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 60V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 17A (TA), 100A (Tc) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 2.3V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 2750pF @ 30V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 3.2W (TA), 116W (Tc) |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 5,9 mOhm @ 18A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-VSON (5x6) |
| Paquete/caso | 8-PowerTDFN |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Persona de Contacto: Darek
Teléfono: +8615017926135
