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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STU80N4F6 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STU80N4F6 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
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Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STU80N4F6 solos

descripción
Número de parte: STU80N4F6 Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N CH 40V 80A IPAK Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI

Especificaciones STU80N4F6

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 80A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 36nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 2150pF @ 25V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 70W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 6,3 mOhm @ 40A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251
Paquete/caso Ventajas del cortocircuito TO-251-3, IPak, TO-251AA
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STU80N4F6

Detección

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Persona de Contacto: Darek

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