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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STF18N55M5 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STF18N55M5 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STF18N55M5 solos

descripción
Número de parte: STF18N55M5 Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 550V 13A TO220FP Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: MDmesh™ V

Especificaciones STF18N55M5

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 550V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 16A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 31nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1260pF @ 100V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 25W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 192 mOhm @ 8A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete/caso Paquete completo TO-220-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STF18N55M5

Detección

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