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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STL6N3LLH6 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STL6N3LLH6 solos

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STL6N3LLH6 solos

descripción
Número de parte: STL6N3LLH6 Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI

Especificaciones STL6N3LLH6

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C -
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA (minuto)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 283pF @ 24V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 2.4W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 25 mOhm @ 3A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor PowerFlat™ (2x2)
Paquete/caso 6-PowerWDFN
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STL6N3LLH6

Detección

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