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PSMN1R2-30YLDX Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

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PSMN1R2-30YLDX Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

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PSMN1R2-30YLDX Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

descripción
Número de parte: PSMN1R2-30YLDX Fabricante: Nexperia los USA Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

PSMN1R2-30YLDX Specifications

Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4616pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.24 mOhm @ 25A, 10V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Package / Case SC-100, SOT-669
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

PSMN1R2-30YLDX Packaging

Detection

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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