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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NVTFS5811NLTAG solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NVTFS5811NLTAG solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NVTFS5811NLTAG solos

descripción
Número de parte: NVTFS5811NLTAG Fabricante: EN el semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones de NVTFS5811NLTAG

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 16A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1570pF @ 25V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 3.2W (TA), 21W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 6,7 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete/caso 8-PowerWDFN
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de NVTFS5811NLTAG

Detección

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