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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CSD17576Q5B solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CSD17576Q5B solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de CSD17576Q5B solos

descripción
Número de parte: CSD17576Q5B Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: NexFET™

Especificaciones de CSD17576Q5B

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 100A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 68nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 4430pF @ 15V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 3.1W (TA), 125W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 2 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 8-VSON (5x6)
Paquete/caso 8-PowerTDFN
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de CSD17576Q5B

Detección

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