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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NVMFS5C423NLT1G solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NVMFS5C423NLT1G solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NVMFS5C423NLT1G solos

descripción
Número de parte: NVMFS5C423NLT1G Fabricante: EN el semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 40V 126A SO8FL Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones de NVMFS5C423NLT1G

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C -
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 50nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 3100pF @ 20V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 3.7W (TA), 83W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 2 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete/caso 8-PowerTDFN
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de NVMFS5C423NLT1G

Detección

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