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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STFI15N65M5 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STFI15N65M5 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STFI15N65M5 solos

descripción
Número de parte: STFI15N65M5 Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: MDmesh™ V

Especificaciones STFI15N65M5

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 650V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 11A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 22nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 816pF @ 100V
Vgs (máximo) ±25V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 30W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 340 mOhm @ 5.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAKFP (TO-281)
Paquete/caso Paquete completo TO-262-3, yo ² Pak
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STFI15N65M5

Detección

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