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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD7NM80-1 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD7NM80-1 solos

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD7NM80-1 solos
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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD7NM80-1 solos

descripción
Número de parte: STD7NM80-1 Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: MDmesh™

Especificaciones STD7NM80-1

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 800V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 6.5A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 620pF @ 25V
Vgs (máximo) ±30V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 90W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 1,05 ohmios @ 3.25A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor Yo-Pak
Paquete/caso Ventajas del cortocircuito TO-251-3, IPak, TO-251AA
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STD7NM80-1

Detección

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Teléfono: +8615017926135

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