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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PSMN8R5-100PSQ solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PSMN8R5-100PSQ solos

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PSMN8R5-100PSQ solos

descripción
Número de parte: PSMN8R5-100PSQ Fabricante: Nexperia los USA Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones de PSMN8R5-100PSQ

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 100V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 100A (Tj)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 111nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 5512pF @ 50V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 263W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 8,5 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete/caso TO-220-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de PSMN8R5-100PSQ

Detección

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