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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STB100NF03L-03T4 solos

Categoría:
Transistor de efecto de campo
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Número de parte:
STB100NF03L-03T4
Fabricante:
STMicroelectronics
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie:
STripFET™ III
Introducción

Especificaciones STB100NF03L-03T4

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 100A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 88nC @ 5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 6200pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 300W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 3,2 mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete/caso TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STB100NF03L-03T4

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable