|
Datos del producto:
|
| Número de parte: | TK31V60W5, LVQ | Fabricante: | Semiconductor y almacenamiento de Toshiba |
|---|---|---|---|
| Descripción: | MOSFET N - CH 600V 30.8A DFN | Categoría: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
| Familia: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos | Serie: | DTMOSIV |
| Situación de la parte | Activo |
|---|---|
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 600V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 30.8A (TA) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4.5V @ 1.5mA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 105nC @ 10V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 3000pF @ 300V |
| Vgs (máximo) | ±30V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 240W (Tc) |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 109 mOhm @ 15.4A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TA) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 4-DFN-EP (8x8) |
| Paquete/caso | 4-VSFN expuso el cojín |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Persona de Contacto: Darek
Teléfono: +8615017926135
