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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STP140N8F7 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STP140N8F7 solos

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STP140N8F7 solos

descripción
Número de parte: STP140N8F7 Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 80V 90A TO-220 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII

Especificaciones STP140N8F7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 80V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 90A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 96nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 6340pF @ 40V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 200W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 4,3 mOhm @ 45A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete/caso TO-220-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STP140N8F7

Detección

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Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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