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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de STP9NK65ZFP solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de STP9NK65ZFP solos

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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de STP9NK65ZFP solos

descripción
Número de parte: STP9NK65ZFP Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220FP Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: SuperMESH™

Especificaciones de STP9NK65ZFP

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 650V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 6.4A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 41nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1145pF @ 25V
Vgs (máximo) ±30V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 30W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 1,2 ohmios @ 3.2A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete/caso Paquete completo TO-220-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de STP9NK65ZFP

Detección

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