TK28N65W, MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de S1F solos
Categoría:
Transistor de efecto de campo
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
TK28N65W, S1F
Fabricante:
Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie:
DTMOSIV
Introducción
TK28N65W, especificaciones de S1F
| Situación de la parte | Activo |
|---|---|
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 650V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 27.6A (TA) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3.5V @ 1.6mA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 3000pF @ 300V |
| Vgs (máximo) | ±30V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 230W (Tc) |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 110 mOhm @ 13.8A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | A través del agujero |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
| Paquete/caso | TO-247-3 |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
TK28N65W, empaquetado de S1F
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable