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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STP240N10F7 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STP240N10F7 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STP240N10F7 solos

descripción
Número de parte: STP240N10F7 Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 100V 180A TO220 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII

Especificaciones STP240N10F7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 100V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 180A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 176nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 12600pF @ 25V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 300W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 3,2 mOhm @ 60A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete/caso TO-220-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STP240N10F7

Detección

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