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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STI360N4F6 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STI360N4F6 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STI360N4F6 solos

descripción
Número de parte: STI360N4F6 Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI

Especificaciones STI360N4F6

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 120A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 340nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 17930pF @ 25V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 300W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 1,8 mOhm @ 60A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK (TO-262)
Paquete/caso TO-262-3 lleva de largo, yo ² Pak, TO-262AA
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STI360N4F6

Detección

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