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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AOK2500L solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AOK2500L solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AOK2500L solos

descripción
Número de parte: AOK2500L Fabricante: & alfa; Omega Semiconductor Inc.
Descripción: MOSFET N-CH Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones de AOK2500L

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 150V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 14A (TA), 180A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 3.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 136nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 6460pF @ 75V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 3.1W (TA), 500W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 6,2 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete/caso TO-247-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de AOK2500L

Detección

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Teléfono: +8615017926135

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