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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STW28N60M2 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STW28N60M2 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STW28N60M2 solos

descripción
Número de parte: STW28N60M2 Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 600V 24A TO-247 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: Más de MDmesh™ II

Especificaciones STW28N60M2

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 24A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 37nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1370pF @ 100V
Vgs (máximo) ±25V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 170W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 150 mOhm @ 12A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete/caso TO-247-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STW28N60M2

Detección

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