Datos del producto:
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Número de parte: | SUP85N10-10-GE3 | Fabricante: | Vishay Siliconix |
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Descripción: | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB | Categoría: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
Familia: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos | Serie: | TrenchFET® |
Situación de la parte | Activo |
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Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 100V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 85A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 6550pF @ 25V |
Vgs (máximo) | ±20V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 3.75W (TA), 250W (Tc) |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | mOhm 10,5 @ 30A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | A través del agujero |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete/caso | TO-220-3 |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Persona de Contacto: Darek
Teléfono: +8615017926135