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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3746-1E solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3746-1E solos

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3746-1E solos
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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2SK3746-1E solos

descripción
Número de parte: 2SK3746-1E Fabricante: EN el semiconductor
Descripción: MOSFET N-CH 1500V 2A Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones 2SK3746-1E

Situación de la parte No para los nuevos diseños
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 1500V (1.5kV)
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ -
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 37.5nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 380pF @ 30V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 2.5W (TA), 110W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 13 ohmios @ 1A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P-3L
Paquete/caso TO-3P-3, SC-65-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado 2SK3746-1E

Detección

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