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Datos del producto:
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| Número de parte: | BSS806NEH6327XTSA1 | Fabricante: | Infineon Technologies |
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| Descripción: | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | Categoría: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
| Familia: | Transistores - FETs, MOSFETs - solos | Serie: | Automotriz, AEC-Q101, HEXFET® |
| Situación de la parte | Activo |
|---|---|
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 20V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 2.3A (TA) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 0.75V @ 11µA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 1.7nC @ 2.5V |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 529pF @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±8V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 500mW (TA) |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT23-3 |
| Paquete/caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Persona de Contacto: Darek
Teléfono: +8615017926135
