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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de RSM002N06T2L solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de RSM002N06T2L solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de RSM002N06T2L solos

descripción
Número de parte: RSM002N06T2L Fabricante: Semiconductor de Rohm
Descripción: MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones de RSM002N06T2L

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 250mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 15pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 150mW (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 2,4 ohmios @ 250mA, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor VMT3
Paquete/caso SOT-723
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de RSM002N06T2L

Detección

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