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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SCT3060ALGC11 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SCT3060ALGC11 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SCT3060ALGC11 solos

descripción
Número de parte: SCT3060ALGC11 Fabricante: Semiconductores Rohm
Descripción: MOSFET NCH 650V 39A TO247N Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones SCT3060ALGC11

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología SiCFET (carburo de silicio)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 650V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 39A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 5.6V @ 6.67mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 58nC @ 18V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 852pF @ 500V
Vgs (máximo) +22V, -4V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 165W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 78 mOhm @ 13A, 18V
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247N
Paquete/caso TO-247-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado SCT3060ALGC11

Detección

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