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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de TPH3212PS solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de TPH3212PS solos

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de TPH3212PS solos

descripción
Número de parte: TPH3212PS Fabricante: Transphorm
Descripción: FET 650V 28A TO220 de CASCODE GAN Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones de TPH3212PS

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología GaNFET (nitruro del galio)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 650V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 28A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.6V @ 400uA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 14nC @ 8V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1130pF @ 400V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 104W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 72 mOhm @ 17A, 8V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete/caso TO-220-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de TPH3212PS

Detección

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