MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SCT3080ALGC11 solos
Especificaciones
Número de parte:
SCT3080ALGC11
Fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Introducción
Especificaciones SCT3080ALGC11
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 650V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 30A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 5.6V @ 5mA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 48nC @ 18V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 571pF @ 500V |
Vgs (máximo) | +22V, -4V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 134W (Tc) |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 104 mOhm @ 10A, 18V |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
Montaje del tipo | A través del agujero |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247N |
Paquete/caso | TO-247-3 |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado SCT3080ALGC11
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable