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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo SCT3080ALGC11 solos

Categoría:
Transistor de efecto de campo
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
SCT3080ALGC11
Fabricante:
Semiconductor de Rohm
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Introducción

Especificaciones SCT3080ALGC11

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 650V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 30A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 5.6V @ 5mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 48nC @ 18V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 571pF @ 500V
Vgs (máximo) +22V, -4V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 134W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 104 mOhm @ 10A, 18V
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247N
Paquete/caso TO-247-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado SCT3080ALGC11

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable