MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STL42N65M5 solos
Especificaciones
Número de parte:
STL42N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie:
MDmesh™ V
Introducción
Especificaciones STL42N65M5
Situación de la parte | Activo |
---|---|
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 650V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 4A (TA), 34A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 4650pF @ 100V |
Vgs (máximo) | ±25V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 3W (TA), 208W (Tc) |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 79 mOhm @ 16.5A, 10V |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Alto voltaje de PowerFlat™ (8x8) |
Paquete/caso | ALTO VOLTAJE 4-PowerFlat™ |
Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado STL42N65M5
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable