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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de TPH3202PD solos

Categoría:
Transistor de efecto de campo
Precio:
Negociable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
TPH3202PD
Fabricante:
Transphorm
Descripción:
FET 600V 9A TO220 de CASCODE GAN
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Introducción

Especificaciones de TPH3202PD

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología GaNFET (nitruro del galio)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 9A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 8V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 760pF @ 480V
Vgs (máximo) ±18V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 65W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 350 mOhm @ 5.5A, 8V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220
Paquete/caso TO-220-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de TPH3202PD

Detección

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Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable