SSM6J206FE (TE85L, MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de F solos
Categoría:
Transistor de efecto de campo
Precio:
Negotiable
Forma de pago:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Especificaciones
Número de parte:
SSM6J206FE (TE85L, F
Fabricante:
Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Categoría:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Introducción
SSM6J206FE (TE85L, especificaciones de F
| Situación de la parte | Activo |
|---|---|
| Tipo del FET | P-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 20V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 2A (TA) |
| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | - |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 335pF @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±8V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 500mW (TA) |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 130 mOhm @ 1A, 4V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete del dispositivo del proveedor | ES6 (1.6x1.6) |
| Paquete/caso | SOT-563, SOT-666 |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
SSM6J206FE (TE85L, empaquetado de F
Detección
Envíe el RFQ
Las existencias:
Cuota de producción:
Negotiable