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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo AON2400 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo AON2400 solos

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo AON2400 solos
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Ampliación de imagen :  MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo AON2400 solos

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo AON2400 solos

descripción
Número de parte: AON2400 Fabricante: & alfa; Omega Semiconductor Inc.
Descripción: MOSFET N CH 8V 8A DFN 2X2B Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones AON2400

Situación de la parte Compra de la última vez
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 8V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 8A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 2.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 750mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1645pF @ 4V
Vgs (máximo) ±5V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 2.8W (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 11 mOhm @ 8A, 2.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 6-DFN-EP (2x2)
Paquete/caso 6-UDFN expuso el cojín
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado AON2400

Detección

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