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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN3024LSS-13 solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN3024LSS-13 solos

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN3024LSS-13 solos

descripción
Número de parte: DMN3024LSS-13 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos

Especificaciones DMN3024LSS-13

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 6.4A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 12.9nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 608pF @ 15V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 1.6W (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 24 mOhm @ 7A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMN3024LSS-13

Detección

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