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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PMV450ENEAR solos

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PMV450ENEAR solos

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de PMV450ENEAR solos

descripción
Número de parte: PMV450ENEAR Fabricante: Nexperia los USA Inc.
Descripción: MOSFET N-CH 60V TO-236AB Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - solos Serie: Automotriz, AEC-Q101

Especificaciones de PMV450ENEAR

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 800mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.7V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 3.6nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 101pF @ 30V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 323mW (TA), 554mW (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 380 mOhm @ 900mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236AB (SOT23)
Paquete/caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de PMV450ENEAR

Detección

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