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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1009HR5

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MMRF1009HR5

descripción
Número de parte: MMRF1009HR5 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MMRF1009HR5

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 1.03GHz
Aumento 19.7dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 200mA
Poder - salida 500W
Voltaje - clasificado 110V
Paquete/caso SOT-957A
Paquete del dispositivo del proveedor NI-780H-2L
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MMRF1009HR5

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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