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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V12250HR5

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V12250HR5

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V12250HR5

descripción
Número de parte: MRF6V12250HR5 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF6V12250HR5

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 1.03GHz
Aumento 20.3dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 100mA
Poder - salida 275W
Voltaje - clasificado 100V
Paquete/caso NI-780
Paquete del dispositivo del proveedor NI-780
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF6V12250HR5

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V12250HR5 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V12250HR5 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V12250HR5 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF6V12250HR5 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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