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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF878,112

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF878,112

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF878,112

Ampliación de imagen :  Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF878,112

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF878,112

descripción
Número de parte: BLF878,112 Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 89V 21DB SOT979A del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones BLF878,112

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (dual), fuente común
Frecuencia 860MHz
Aumento 21dB
Voltaje - prueba 40V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 1.4A
Poder - salida 300W
Voltaje - clasificado 89V
Paquete/caso SOT-979A
Paquete del dispositivo del proveedor CDFM2
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado BLF878,112

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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