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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF6G13LS-250PGJ

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF6G13LS-250PGJ

descripción
Número de parte: BLF6G13LS-250PGJ Fabricante: Ampleon los USA Inc.
Descripción: FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E del RF Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones de BLF6G13LS-250PGJ

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 1.3GHz
Aumento 17dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 100mA
Poder - salida 250W
Voltaje - clasificado 100V
Paquete/caso SOT-1121E
Paquete del dispositivo del proveedor LDMOST
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLF6G13LS-250PGJ

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF6G13LS-250PGJ 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF6G13LS-250PGJ 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF6G13LS-250PGJ 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF6G13LS-250PGJ 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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