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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP61K25NR6

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP61K25NR6

descripción
Número de parte: MRFE6VP61K25NR6 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: Transporte RF LDMOS 1250W 50V Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRFE6VP61K25NR6

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 230MHz
Aumento 23dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 100mA
Poder - salida 1250W
Voltaje - clasificado 133V
Paquete/caso OM-1230-4L
Paquete del dispositivo del proveedor OM-1230-4L
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRFE6VP61K25NR6

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP61K25NR6 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP61K25NR6 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP61K25NR6 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRFE6VP61K25NR6 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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