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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF7S24250NR3

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF7S24250NR3

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF7S24250NR3
Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF7S24250NR3

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF7S24250NR3

descripción
Número de parte: MRF7S24250NR3 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: Transporte RF LDMOS 250W 32V Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF7S24250NR3

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 2.45GHz
Aumento 14.7dB
Voltaje - prueba 30V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 100mA
Poder - salida 256W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso OM-780-2
Paquete del dispositivo del proveedor OM-780-2
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF7S24250NR3

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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