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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20165WHSR5

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20165WHSR5

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Datos del producto:
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Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P20165WHSR5

descripción
Número de parte: MRF8P20165WHSR5 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8P20165WHSR5

Situación de la parte Interrumpido en Digi-Key
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 1.98GHz ~ 2.01GHz
Aumento 14.8dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 550mA
Poder - salida 37W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso NI-780S-4
Paquete del dispositivo del proveedor NI-780S-4
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8P20165WHSR5

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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