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MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

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MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

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Ampliación de imagen :  MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

descripción
Número de parte: MRF8S21200HSR5 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

MRF8S21200HSR5 Specifications

Part Status Discontinued at Digi-Key
Transistor Type LDMOS (Dual)
Frequency 2.14GHz
Gain 18.1dB
Voltage - Test 28V
Current Rating -
Noise Figure -
Current - Test 1.4A
Power - Output 48W
Voltage - Rated 65V
Package / Case NI-1230S
Supplier Device Package NI-1230S
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

MRF8S21200HSR5 Packaging

Detection

MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 0MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 1MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 2MRF8S21200HSR5 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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