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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P9300HR6

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P9300HR6

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P9300HR6

descripción
Número de parte: MRF8P9300HR6 Fabricante: NXP USA Inc.
Descripción: FET RF 2CH 70V 960MHZ NI-1230H Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - RF

Especificaciones MRF8P9300HR6

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS (dual)
Frecuencia 960MHz
Aumento 19.4dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 2.4A
Poder - salida 100W
Voltaje - clasificado 70V
Paquete/caso NI-1230
Paquete del dispositivo del proveedor NI-1230
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado MRF8P9300HR6

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P9300HR6 0Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P9300HR6 1Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P9300HR6 2Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo MRF8P9300HR6 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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